台积电(TSMC)刚刚宣布，该公司已开始风险生产5nm芯片，并将于2020年上半年投入批量生产。此外，该公司表示将在2021年开始生产5nm +芯片。
新的5nm芯片将比当前的7nm芯片小将近45%，并且在不考虑任何架构变化的情况下，最多可提高15%的性能。5nm +工艺还将通过提高6-12%的电源效率进一步改善这些数字。如果风险生产能达到台积电希望的水平，那么它已经有很多潜在客户。这些公司可能包括像Apple这样的公司，直到2020年，TSMC才是TSMC的唯一供应商，甚至还有使用Snapdragon 855使用TSMC的7nm工艺的Qualcomm。鉴于苹果，Qualcomm甚至是HiSilicon都将在此后发布新的旗舰芯片。一年中，其中之一可能是5nm芯片。
对于那些想知道的人，5nm和5nm +芯片之间的区别在于光刻工艺。光刻尺寸相同，这意味着芯片尺寸仍为5nm，但是其制造工艺有所不同。5nm工艺使用波长为193nm的激光通过掩模将图案投射到芯片上。由于波长远大于最终节点的尺寸，因此必须使用多个掩模才能获得最终的5nm节点。5nm +工艺将使用波长仅为13.5纳米的极紫外激光(EUV光刻)，与普通5nm工艺相比，所需的掩模很少。生产EUV灯极其困难，更不用说昂贵了。只是为了了解一下，EUV系统包含超过100,000个零件，40,000个螺栓，3,000根电缆和2公里的套管。一个系统也重180万公斤。台积电最初使用较长波长的激光器开始其7nm工艺时，EUV方法用+符号表示，随后将开始生产。另一方面，三星已完全投资于EUV方法。
既然台积电宣布了其5nm计划，我们可以期待三星会在不久的将来推出类似的计划。
